型号:

SI4322DY-T1-E3

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Vishay Siliconix描述:MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
SI4322DY-T1-E3 PDF
产品目录绘图 DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 18A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 8.5 毫欧 @ 15A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 38nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1640pF @ 15V
功率 - 最大 5.4W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装 8-SOICN
包装 标准包装
其它名称 SI4322DY-T1-E3DKR
相关参数
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0201ZK4R5BBWTR AVX Corporation CAP THIN FILM 4.5PF 10V 0201
CKCL22X7R1E104M TDK Corporation CAP ARRAY 2CH 0.1UF 25V 0805
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3361P-1-501G Bourns Inc. TRIMMER 500 OHM 0.5W SMD
3361P-1-501G Bourns Inc. TRIMMER 500 OHM 0.5W SMD
3361P-1-201G Bourns Inc. TRIMMER 200 OHM 0.5W SMD
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06031J2R0BAWTR AVX Corporation CAP THIN FILM 2PF 100V 0603
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QZX363C20-7-F Diodes Inc DIODE ZENER QUAD 20V SOT-363
3361P-1-201G Bourns Inc. TRIMMER 200 OHM 0.5W SMD
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